シリコン

シリコンウェーハ

半導体用基板として使用されるシリコンウェーハをお客様のニーズに応じた仕様にて提供致します。
特殊な仕様をご希望の場合もご相談ください。

標準仕様

下記仕様を参考にご相談ください。

直径 2″φ3″φ4″φ5″φ6″φ8″φ12″φ
製法 CZ or FZCZ or FZCZ or FZCZ or FZCZ or FZCZ or FZMCZ
結晶軸 <100> or <111><100> or <111><100> or <111><100> or <111><100> or <111><100> or <111><100>
型 P or NP or NP or NP or NP or NP or NP or N
比抵抗 0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値0.01～1,000 Ωの任意の抵抗値
厚さ 280±25 μ380±25 μ525±25 μ625±25 μ625±25 μ725±25 μ775±25 μ
表面仕上 PolishPolishPolishPolishPolishPolishPolish
裏面仕上 EtchEtchEtchEtchEtchEtchPolish

薄膜加工ウェーハ（海外メーカーとの提供も致しております）

酸化膜（熱酸化）
4”φ～12”φウェーハにウェット及びドライの酸化プロセスにて500Å～3μm膜厚の範囲にわたりご提供しています。
メタル膜（スパッタリング）
4”φ～12”φウェーハに
・Ta、Tan、Ti、TiN、W、Wsi、TiW、Cr　300Å～3,000Å
・Cu、Al、Al-Cu(1%)、Al-Si(1%)、Al-Si(1%)-Cu(1%) 　500Å～1.5μm
の任意の膜厚加工致します。
メタル膜（真空蒸着）
4”φ～12”φウェーハに
・Pt、Ru、Pd、Au、Ag、Co、Ni、NiSI、Al合金、Cu 1,000Å～2μm
の任意の膜厚加工致します。

特殊加工

半導体装置用として多様な加工にてご提供可能です。

・角、ザグリ、穴あけ、円筒、ダウンサイズ、薄加工等

任意のサイズに加工が可能です

シリコン屑

リサイクル、添加材用途として

・インゴットのトップ、テール
・インゴットの格外品

各種化合物材料

パワーデバイス、LED、半導体レーザー、発光ダイオード用等基板として

・SiC（シリコンカーバイド）
・GaN（ガリウムナイトライド）
・GaAs（ガリウムヒ素）
・InP（インジウムリン）

他材料

LED用基板、光学窓材として

　・サファイア